제품 상세 정보:
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적용: | 역변환 장치 / 신 에너지 | 소재: | 산화 아연 |
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최대. 허용전압: | AC: 5100V DC: 670 ((V) | 바리스터 전압: | 738-902(뷔) |
특징: | 빠른 응답 시간 | 정격 전력량: | 1.2(W) |
최대. 클램핑 전압: | IP: 150(A) VC: 1355(V) | 과전류에 견디기: | 1회:15000(A) 2회:18000(A) |
맥스. 에너지: | 460(J) | 전형적 전기 용량: | 750(pf) |
비선형지수(α): | ≧40 | 배리스터 전압의 온도 계수: | ≤±0.05%/℃ MAX. |
강조하다: | MOV 진크산화물 바리스터,25mm 아연 산화물 바리스터,AC510V MOV 아연 산화물 바리스터 |
사양 | 아니요. | |||||||
부분 아니요. |
25D821K | 페이지 2/2 | ||||||
날짜: 2023年09月06일 | ||||||||
3. 기계적 요구사항 | ||||||||
3.1 | 종단 인장 | 눈에 띄는 손상 없음 | 1Kgf, 10초 | |||||
3.2 | 종단 굽힘 | 눈에 띄는 손상 없음 | 0.5Kgs,90°,3회 | |||||
3.3 | 진동 | 눈에 띄는 손상 없음 |
주파수: 10-55hz 앰프: 0.75mm, 1분 |
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3.4 | 납땜성 | 단자의 최소 95%가 균일하게 납땜으로 덮여 있어야 합니다. |
납땜 온도: 230±5℃ 몰입 시간:2±0.5초 |
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3.5 | 납땜 열의 저항 |
≤±5% |
납땜 온도: 260±5℃ | |||||
몰입 시간:10±1초 | ||||||||
4.환경 요구 사항 | ||||||||
4.1 | 고온 보관 |
≤±5% |
주변 온도: 125±2℃ 기간: 1000시간 |
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4.2 | 저온 보관 |
≤±5% |
주변 온도:-40±2℃ 기간: 1000시간 |
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4.3 | 고습 보관/습열 |
≤±5% |
주변 온도:40±2℃ 90-95%RH 지속시간: 1000시간 |
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4.4 | 온도주기 |
≤±5% |
단계 | 온도 | 기간 | |||
1 | -40℃ | 30분 | ||||||
2 | 실내 온도 | 15분 | ||||||
3 | 125℃ | 30분 | ||||||
4 | 실내 온도 | 15분 | ||||||
4.5 | 고온 부하 |
≤±10% |
주변 온도: 85±2℃ 기간:1000h 부하:맥스 허용전압 |
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4.6 | 높은 습도 부하 |
≤±10% |
주변 온도: 125±2℃ 기간:1000h 부하:맥스 허용전압 |
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4.7 | 작동 온도 범위 | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ | |||||
4.8 | 보관 온도 범위 | -40℃~+125℃ | -40℃~+125℃ |
MOV-25D 금속 산화물 배리스터 라인에 병렬로 연결된 전압 제한 보호 장치
"배리스터"는 비선형 볼트-암페어 특성을 갖는 저항성 장치입니다. 주로 회로에 과전압이 가해질 때 전압 클램핑에 사용되며, 과도한 전류를 흡수하여 민감한 장치를 보호합니다. 영어 이름은 "Voltage dependency Resistor"이며 "VDR" 또는 "Varistor"로 약칭합니다. 배리스터의 저항재료는 반도체이므로 다양한 반도체 저항기이다. 현재 널리 사용되는 "산화아연"(ZnO) 배리스터는 주요 재료가 2가 원소인 아연(Zn)과 6가 원소인 산소(O)로 구성되어 있습니다. 따라서 물질적인 관점에서 보면 산화아연 배리스터는 "II-VI 산화물 반도체"이다. 중국 대만에서는 배리스터를 '서지 업소버'라고 부르며, '감전(서지) 억제 장치(업소버)'라고도 합니다.
배리스터는 전압 제한 보호 장치입니다. 배리스터의 비선형 특성을 이용하여 배리스터의 두 극 사이에 과전압이 발생하면 배리스터는 전압을 상대적으로 고정된 전압 값으로 클램핑하여 후속 회로를 보호할 수 있습니다. 배리스터의 주요 매개변수는 배리스터 전압, 유량 용량, 접합 용량, 응답 시간 등입니다.
모델 번호
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25D 181K 390K 431K 470K 471K 511K 561K 680K 681K 821K 102K
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패키지
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배리스터
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D/C
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최신
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상태
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신규 및 기존
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리드타임
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1일 이내
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단가
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신청:
배리스터는 다음을 포함한 다양한 애플리케이션에 사용될 수 있습니다.
• 컴퓨터
• 타이머
• 앰프
• 오실로스코프
• 의료 분석 장비
• 거리 조명
• 튜너
경쟁 우위:
명세서:
부품 번호 | 진공(V) | DC(V) | V1mA(V) | IP(A) | 진공(V) | I(A)표준 | I(A)높은 서지 | (J)표준 | (J)고서지 | 정격전력(W) |
기음@ 1KHz (pf) |
25D180K(J) | 11 | 14 | 18(15-21.6) | 30 | 40 | 3000 | 4500 | 13 | 20 | 0.25 | 45000 |
25D220K(J) | 14 | 18 | 22(19.5-26) | 30 | 48 | 3000 | 4500 | 16 | 25 | 0.25 | 29000 |
25D270K(J) | 17 | 22 | 27(24-31) | 30 | 60 | 3000 | 4500 | 19 | 30 | 0.25 | 26500 |
25D330K(J) | 20 | 26 | 33(29.5-36.5) | 30 | 73 | 3000 | 4500 | 24 | 35 | 0.25 | 18000 |
25D390K(J) | 25 | 31 | 39(35-43) | 30 | 80 | 3000 | 4500 | 28 | 40 | 0.25 | 13500 |
25D470K(J) | 30 | 38 | 47(42-52) | 30 | 104 | 3000 | 4500 | 34 | 50 | 0.25 | 11500 |
25D560K(J) | 35 | 45 | 56(50-62) | 30 | 123 | 3000 | 4500 | 40 | 60 | 0.25 | 10500 |
25D680K(J) | 40 | 56 | 68(61-75) | 30 | 145 | 3000 | 4500 | 49 | 70 | 0.25 | 9050 |
25D820K(J) | 50 | 65 | 82(74-90) | 150 | 150 | 15000 | 18000 | 56 | 80 | 1.2 | 7700 |
25D101K(J) | 60 | 85 | 100(90-110) | 150 | 175 | 15000 | 18000 | 70 | 100 | 1.2 | 6300 |
25D121K(J) | 75 | 100 | 120(108-132) | 150 | 210 | 15000 | 18000 | 85 | 120 | 1.2 | 5200 |
25D151K(J) | 95 | 125 | 150(135-165) | 150 | 260 | 15000 | 18000 | 106 | 160 | 1.2 | 4300 |
25D181K(J) | 115 | 150 | 180(162-198) | 150 | 320 | 15000 | 18000 | 130 | 175 | 1.2 | 3500 |
25D201K(J) | 130 | 170 | 200(180-220) | 150 | 340 | 15000 | 18000 | 140 | 190 | 1.2 | 3200 |
25D221K(J) | 140 | 180 | 220(198-242) | 150 | 360 | 15000 | 18000 | 1155 | 200 | 1.2 | 2900 |
25D241K(J) | 150 | 200 | 240(216-264) | 150 | 395 | 15000 | 18000 | 168 | 220 | 1.2 | 2650 |
25D271K(J) | 175 | 225 | 270(243-297) | 150 | 455 | 15000 | 18000 | 190 | 255 | 1.2 | 2400 |
25D301K(J) | 190 | 250 | 300(270-330) | 150 | 500 | 15000 | 18000 | 210 | 275 | 1.2 | 2100 |
25D331K(J) | 210 | 275 | 330(297-363) | 150 | 550 | 15000 | 18000 | 228 | 300 | 1.2 | 1900 |
25D361K(J) | 230 | 300 | 360(324-396) | 150 | 595 | 15000 | 18000 | 255 | 330 | 1.2 | 1750년 |
25D391K(J) | 250 | 320 | 390(351-429) | 150 | 650 | 15000 | 18000 | 275 | 360 | 1.2 | 1600 |
25D431K(J) | 275 | 350 | 430(387-473) | 150 | 710 | 15000 | 18000 | 305 | 380 | 1.2 | 1500 |
25D471K(J) | 300 | 385 | 470(423-517) | 150 | 775 | 15000 | 18000 | 350 | 400 | 1.2 | 1400 |
25D511K(J) | 320 | 415 | 510(459-561) | 150 | 845 | 15000 | 18000 | 361 | 420 | 1.2 | 1250 |
25D561K(J) | 350 | 460 | 560(504-616) | 150 | 925 | 15000 | 18000 | 380 | 440 | 1.2 | 1150 |
25D621K(J) | 385 | 505 | 620(558-682) | 150 | 1025 | 15000 | 18000 |
396
|
450 | 1.2 | 950 |
25D681K(J) | 420 | 560 | 680(612-748) | 150 | 1120 | 15000 | 18000 | 408 | 460 | 1.2 | 900 |
25D751K(J) | 460 | 615 | 750(675-825) | 150 | 1240 | 15000 | 18000 | 420 | 510 | 1.2 | 850 |
25D781K(J) | 485 | 640 | 780(702-858) | 150 | 1290 | 15000 | 18000 | 440 | 530 | 1.2 | 800 |
25D821K(J) | 510 | 670 | 820(738-902) | 150 | 1355 | 15000 | 18000 | 460 | 570 | 1.2 | 750 |
25D911K(J) | 550 | 745 | 910(819-1001) | 150 | 1500 | 15000 | 18000 | 510 | 620 | 1.2 | 700 |
25D102K(J) | 625 | 825 | 1000(900-1100) | 150 | 1650년 | 15000 | 18000 | 565 | 685 | 1.2 | 650 |
25D112K(J) | 680 | 895 | 1100(990-1210) | 150 | 1815년 | 15000 | 18000 | 620 | 720 | 1.2 | 600 |
25D122K(J) | 750 | 990 | 1200(1080-1320) | 150 | 1980년 | 15000 | 18000 | 631 | 792 | 1.2 | 550 |
25D142K(J) | 880 | 1140 | 1400(1260-1540) | 150 | 2310 | 15000 | 18000 | 697 | 850 | 1.2 | 500 |
25D162K(J) | 1000 | 1280 | 1600(1440-1760) | 150 | 2640 | 15000 | 18000 | 805 | 970 | 1.2 | 450 |
25D182K(J) | 1100 | 1465 | 1800(1620-1980) | 150 | 2970 | 15000 | 18000 | 896 | 1092 | 1.2 | 400 |
애플리케이션
1. 배리스터 전압: 지정된 온도 및 DC(일반적으로 1mA 또는 0.1mA)에서 배리스터에 걸리는 전압 값을 나타냅니다. V1mA 또는 V0.1mAo로 기록됨
2. 최대 연속 전압 : 규정된 주위 온도에서 장시간 동안 배리스터 양단에 연속적으로 인가할 수 있는 정현파 교류 전압의 최대 유효값 또는 최대 직류 전압값을 말한다.
3. 제한 전압: 지정된 서지 전류(8,20μs)가 배리스터를 통과할 때 배리스터 양단의 최대 피크 전압을 말합니다.
4. 정격 전력 : 지정된 주변 온도에서 배리스터에 인가할 수 있는 최대 평균 충격 전력을 나타냅니다.
5. 최대 에너지: 배리스터 전압이 ±10% 이상 변하지 않고 임펄스 전류 파형이 10, 1000μs 또는 2ms인 조건에서 배리스터에 인가할 수 있는 최대 충격 에너지입니다.
6. 전류 용량(최대 돌입 전류)
담당자: Ms. Huang
전화 번호: 13423305709