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제품 소개금속 산화 배리스터

AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합

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중국 Dongguan Linkun Electronic Technology Co., Ltd. 인증
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AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합

AC510V MOV Zinc Oxide Varistor 25mm  DC670V Suitable For Inverter Power
AC510V MOV Zinc Oxide Varistor 25mm  DC670V Suitable For Inverter Power
AC510V MOV Zinc Oxide Varistor 25mm  DC670V Suitable For Inverter Power AC510V MOV Zinc Oxide Varistor 25mm  DC670V Suitable For Inverter Power AC510V MOV Zinc Oxide Varistor 25mm  DC670V Suitable For Inverter Power AC510V MOV Zinc Oxide Varistor 25mm  DC670V Suitable For Inverter Power

큰 이미지 :  AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합

제품 상세 정보:
원래 장소: 동완 중국
브랜드 이름: linkun
인증: CE / ROHS / UL / TUV / SGS
모델 번호: 25D821K
문서: 제품 설명서 PDF
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 협상
가격: 협상 가능
포장 세부 사항: 수출 패키지 / 협상
배달 시간: 협상
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온
공급 능력: 연간 2400만

AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합

설명
적용: 역변환 장치 / 신 에너지 소재: 산화 아연
최대. 허용전압: AC: 5100V DC: 670 ((V) 바리스터 전압: 738-902(뷔)
특징: 빠른 응답 시간 정격 전력량: 1.2(W)
최대. 클램핑 전압: IP: 150(A) VC: 1355(V) 과전류에 견디기: 1회:15000(A) 2회:18000(A)
맥스. 에너지: 460(J) 전형적 전기 용량: 750(pf)
비선형지수(α): ≧40 배리스터 전압의 온도 계수: ≤±0.05%/℃ MAX.
강조하다:

MOV 진크산화물 바리스터

,

25mm 아연 산화물 바리스터

,

AC510V MOV 아연 산화물 바리스터

승인 사양

  사양 아니요.

부분

아니요.

25D821K 페이지 1/2
날짜:2023年09月07
1.개요
1.1 모습 균열이 없으면 표시가 명확해야 합니다.
1.2 치수 치수(mm)
AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 0 D(최대) 28.0
H(최대) 32.0
티(최대) 8.7
디(±0.02) 1.0
이자형(±1.0) 10.0
 
2. 전기 매개변수
2.1 최대. 허용전압 교류:510(다섯) 1mA DC에서
DC:670(다섯)
2.2 배리스터 전압 738-902(다섯) VO.1mAV1.0mA
2.3 정격 와트수 1.2(W)  
2.4 최대. 클램핑 전압 IP: 150(에이)

현재 파형 테스트

8/20μ에스

벤처캐피털:1355(다섯)
2.5 서지 전류에 견딜 수 있음 1회:15000(에이)

현재 파형 테스트

8/20μ에스

2회:18000(에이)
2.6 최대. 에너지 460(J)

현재 파형 테스트

10/1000μ에스

2.7 일반적인 정전 용량 750(pf) @1KHz
2.8 누설 전류 DF200(μ에이) 배리스터 전압의 80%에서
2.9 비선형 지수(α) 40 AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 1
2.10 배리스터 전압의 온도 계수

DF±0.05%/℃

최대.

AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 2
2.11 임펄스 라이프 DF±10%(V1 엄마)

현재 파형 테스트

8/20μ에스

 

 

승인 사양

  사양 아니요.

부분

아니요.

25D821K 페이지 2/2
날짜: 2023年09月06
3. 기계적 요구사항
3.1 종단 인장 눈에 띄는 손상 없음 1Kgf, 10초
3.2 종단 굽힘 눈에 띄는 손상 없음 0.5Kgs,90°,3회
3.3 진동 눈에 띄는 손상 없음

주파수: 10-55hz

앰프: 0.75mm, 1분

3.4 납땜성 단자의 최소 95%가 균일하게 납땜으로 덮여 있어야 합니다.

납땜 온도: 230±5

몰입 시간:2±0.5초

3.5 납땜 열의 저항
  • V1mA /V1mA

±5%

납땜 온도: 260±5
몰입 시간:10±1초
4환경 요구 사항
4.1 고온 보관
  • V1mA /V1mA

±5%

주변 온도: 125±2

기간: 1000시간

4.2 저온 보관
  • V1mA /V1mA

±5%

주변 온도:-40±2

기간: 1000시간

4.3 고습 보관/습열
  • V1mA /V1mA

±5%

주변 온도:40±2

90-95%RH 지속시간: 1000시간

4.4 온도주기
  • V1mA/V1mA

±5%

단계 온도 기간
1 -40 30분
2 실내 온도 15분
3 125 30분
4 실내 온도 15분
4.5 고온 부하
  • V1엄마/V1엄마

±10%

주변 온도: 85±2

기간:1000h 부하:맥스

허용전압

4.6 높은 습도 부하
  • V1엄마/V1엄마

±10%

주변 온도: 125±2

기간:1000h 부하:맥스

허용전압

4.7 작동 온도 범위 -40℃~+85 -40℃~+85
4.8 보관 온도 범위 -40℃~+125 -40℃~+125

MOV-25D 금속 산화물 배리스터 라인에 병렬로 연결된 전압 제한 보호 장치

"배리스터"는 비선형 볼트-암페어 특성을 갖는 저항성 장치입니다. 주로 회로에 과전압이 가해질 때 전압 클램핑에 사용되며, 과도한 전류를 흡수하여 민감한 장치를 보호합니다. 영어 이름은 "Voltage dependency Resistor"이며 "VDR" 또는 "Varistor"로 약칭합니다. 배리스터의 저항재료는 반도체이므로 다양한 반도체 저항기이다. 현재 널리 사용되는 "산화아연"(ZnO) 배리스터는 주요 재료가 2가 원소인 아연(Zn)과 6가 원소인 산소(O)로 구성되어 있습니다. 따라서 물질적인 관점에서 보면 산화아연 배리스터는 "II-VI 산화물 반도체"이다. 중국 대만에서는 배리스터를 '서지 업소버'라고 부르며, '감전(서지) 억제 장치(업소버)'라고도 합니다.

배리스터는 전압 제한 보호 장치입니다. 배리스터의 비선형 특성을 이용하여 배리스터의 두 극 사이에 과전압이 발생하면 배리스터는 전압을 상대적으로 고정된 전압 값으로 클램핑하여 후속 회로를 보호할 수 있습니다. 배리스터의 주요 매개변수는 배리스터 전압, 유량 용량, 접합 용량, 응답 시간 등입니다.

 

모델 번호
25D 181K 390K 431K 470K 471K 511K 561K 680K 681K 821K 102K
패키지
배리스터
D/C
최신
상태
신규 및 기존
리드타임
1일 이내
단가
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신청:

 

배리스터는 다음을 포함한 다양한 애플리케이션에 사용될 수 있습니다.

• 컴퓨터

• 타이머

• 앰프

• 오실로스코프

• 의료 분석 장비

• 거리 조명

• 튜너


경쟁 우위:

  1. 공장에서 직접 공급
  2. UL, VDE, SGS 등과 같은 완성된 인증서와 고품질 이용 가능
  3. 빠른 배송
  4. 최고의 애프터 서비스
  5. OEM 및 ODM 가능

명세서:

 

부품 번호 진공(V) DC(V) V1mA(V) IP(A) 진공(V) I(A)표준 I(A)높은 서지 (J)표준 (J)고서지 정격전력(W)

기음@

1KHz

(pf)

25D180K(J) 11 14 18(15-21.6) 30 40 3000 4500 13 20 0.25 45000
25D220K(J) 14 18 22(19.5-26) 30 48 3000 4500 16 25 0.25 29000
25D270K(J) 17 22 27(24-31) 30 60 3000 4500 19 30 0.25 26500
25D330K(J) 20 26 33(29.5-36.5) 30 73 3000 4500 24 35 0.25 18000
25D390K(J) 25 31 39(35-43) 30 80 3000 4500 28 40 0.25 13500
25D470K(J) 30 38 47(42-52) 30 104 3000 4500 34 50 0.25 11500
25D560K(J) 35 45 56(50-62) 30 123 3000 4500 40 60 0.25 10500
25D680K(J) 40 56 68(61-75) 30 145 3000 4500 49 70 0.25 9050
25D820K(J) 50 65 82(74-90) 150 150 15000 18000 56 80 1.2 7700
25D101K(J) 60 85 100(90-110) 150 175 15000 18000 70 100 1.2 6300
25D121K(J) 75 100 120(108-132) 150 210 15000 18000 85 120 1.2 5200
25D151K(J) 95 125 150(135-165) 150 260 15000 18000 106 160 1.2 4300
25D181K(J) 115 150 180(162-198) 150 320 15000 18000 130 175 1.2 3500
25D201K(J) 130 170 200(180-220) 150 340 15000 18000 140 190 1.2 3200
25D221K(J) 140 180 220(198-242) 150 360 15000 18000 1155 200 1.2 2900
25D241K(J) 150 200 240(216-264) 150 395 15000 18000 168 220 1.2 2650
25D271K(J) 175 225 270(243-297) 150 455 15000 18000 190 255 1.2 2400
25D301K(J) 190 250 300(270-330) 150 500 15000 18000 210 275 1.2 2100
25D331K(J) 210 275 330(297-363) 150 550 15000 18000 228 300 1.2 1900
25D361K(J) 230 300 360(324-396) 150 595 15000 18000 255 330 1.2 1750년
25D391K(J) 250 320 390(351-429) 150 650 15000 18000 275 360 1.2 1600
25D431K(J) 275 350 430(387-473) 150 710 15000 18000 305 380 1.2 1500
25D471K(J) 300 385 470(423-517) 150 775 15000 18000 350 400 1.2 1400
25D511K(J) 320 415 510(459-561) 150 845 15000 18000 361 420 1.2 1250
25D561K(J) 350 460 560(504-616) 150 925 15000 18000 380 440 1.2 1150
25D621K(J) 385 505 620(558-682) 150 1025 15000 18000

 

396

 

450 1.2 950
25D681K(J) 420 560 680(612-748) 150 1120 15000 18000 408 460 1.2 900
25D751K(J) 460 615 750(675-825) 150 1240 15000 18000 420 510 1.2 850
25D781K(J) 485 640 780(702-858) 150 1290 15000 18000 440 530 1.2 800
25D821K(J) 510 670 820(738-902) 150 1355 15000 18000 460 570 1.2 750
25D911K(J) 550 745 910(819-1001) 150 1500 15000 18000 510 620 1.2 700
25D102K(J) 625 825 1000(900-1100) 150 1650년 15000 18000 565 685 1.2 650
25D112K(J) 680 895 1100(990-1210) 150 1815년 15000 18000 620 720 1.2 600
25D122K(J) 750 990 1200(1080-1320) 150 1980년 15000 18000 631 792 1.2 550
25D142K(J) 880 1140 1400(1260-1540) 150 2310 15000 18000 697 850 1.2 500
25D162K(J) 1000 1280 1600(1440-1760) 150 2640 15000 18000 805 970 1.2 450
25D182K(J) 1100 1465 1800(1620-1980) 150 2970 15000 18000 896 1092 1.2 400


AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 3AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 4AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 5

생산공정 / 품질관리​

AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 6

 

애플리케이션

1. 배리스터 전압: 지정된 온도 및 DC(일반적으로 1mA 또는 0.1mA)에서 배리스터에 걸리는 전압 값을 나타냅니다. V1mA 또는 V0.1mAo로 기록됨
2. 최대 연속 전압 : 규정된 주위 온도에서 장시간 동안 배리스터 양단에 연속적으로 인가할 수 있는 정현파 교류 전압의 최대 유효값 또는 최대 직류 전압값을 말한다.
3. 제한 전압: 지정된 서지 전류(8,20μs)가 배리스터를 통과할 때 배리스터 양단의 최대 피크 전압을 말합니다.
4. 정격 전력 : 지정된 주변 온도에서 배리스터에 인가할 수 있는 최대 평균 충격 전력을 나타냅니다.
5. 최대 에너지: 배리스터 전압이 ±10% 이상 변하지 않고 임펄스 전류 파형이 10, 1000μs 또는 2ms인 조건에서 배리스터에 인가할 수 있는 최대 충격 에너지입니다.
6. 전류 용량(최대 돌입 전류)


AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 7


AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 8

AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 9
AC510V MOV 진크 산화물 바리스토르 25mm DC670V 인버터 전력에 적합 10

 

 

연락처 세부 사항
Dongguan Linkun Electronic Technology Co., Ltd.

담당자: Ms. Huang

전화 번호: 13423305709

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)